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6H-SiC辐照特性的低温光致发光研究
[期刊论文] 作者：王鸥,丁元力,钟志亲,袁菁,龚敏,ChenXD,FungS,, 来源：光散射学报 年份：2004
本文用低温光致发光(LTPL)技术对经中子辐照的N型6H-SiC在350℃-1650℃温度范围的退火行为进行了研究。在700℃退火后观察到DI中心(D1-center)和位于485．0nm、493．6nm处的发光...
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