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[期刊论文] 作者：H.Statz,李勇,,
来源：半导体情报 年份：2004
本文验证了一种新的噪声源,它是在金属—半导体—金属二极管(即MSM)耗尽层内由漂移载流子的速度波动而引起的。在高电流密度下,当散弹噪声的影响较小时,由于空间电荷的镇静作...
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