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[期刊论文] 作者：Hanyu Sheng,Tamara Bettinger,John Bates,,
来源：中国集成电路 年份：2015
开发测试结构是为了实现深槽和阱邻近效应在0.13μm间距工艺中对MOSFET影响的量化。本文分析了两类结构:深槽和阱边缘一起变化以及这些边缘单独变化。测量结果表明,深槽和阱...
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