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,Recessed-gate quasi-enhancement-mode AlGaN/GaN high electron mobility transistors with oxygen plasm
[期刊论文] 作者：Yun-Long He,Chong Wang,Min-Han Mi,Xue-Feng Zheng,Meng Zhang,Meng-Di Zhao,Heng-Shuang Zhang,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2016
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[期刊论文] 作者：Bo-Chao Zhao,Yang Lu,Wen-Zhe Han,Jia-Xin Zheng,Heng-Shuang Zhang,Pei-jun Ma,Xiao-Hua Ma,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2016
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[期刊论文] 作者：Jia-Xin Zheng,Xiao-Hua Ma,Yang Lu,Bo-Chao Zhao,Heng-Shuang Zhang,Meng Zhang,Li-Xiang Chen,Qing Zhu,Yue,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2017
The coupling effect of air-bridges on broadband spiral inductors in SiC-based MMIC technology has been investigated deeply.The fabricated 1-nH spiral inductor o...
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