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Low-Temperature Ohmic Contact Formation in GaN High Electron Mobility Transistors Using Microwave An
[会议论文] 作者：Lin-Qing Zhang,Jin-Shan Shi,Hong-Fan Huang,Xiao-Yong Liu,Peng-Fei Wang,
来源：2016年上海市研究生学术论坛——电子科学与技术 年份：2016
In this letter, a low-temperature microwave annealing (MWA) method is first reported for the formation of ohmic contact to AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs).Compared with the tradit...
[会议论文] 作者：Sheng-Xun Zhao,Xiao-Yong Liu,Lin-Qing Zhang,Jin-Shan Shi,Hong-Fan Huang,Peng-Fei Wang,
来源：2016年上海市研究生学术论坛——电子科学与技术 年份：2016
Thermal atomic layer deposition (ALD) grown AlN passivation layer is applied on A1GaN/GaN-on-Si HEMT and the impacts on drive current and leakage current are investigated.The thermal ALD grown 30nm am...
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