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[期刊论文] 作者：J. N. Roy,,
来源：Journal of Electronic Science and Technology 年份：2010
一个简单分析模型被开发了学习量在金者底层 MOSFET (金属氧化物半导体领域效果晶体管)的机械效果( QME )，它在减少通道的高绝缘的经常的材料也有 studied.By 与数字地报导的...
[期刊论文] 作者：J. N. Roy,S. San,
来源：半导体学报：英文版 年份：2011
This paper describes an analytical model for bulk electron mobility in strained-Si layers as a function of strain.Phonon scattering,columbic scattering and...
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