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[期刊论文] 作者:J.Mun,张绵,, 来源:半导体情报 年份:2004
业已证明,用限流的阴极接触能够改善较厚汽相外延片的磷化铟电子转移器件的特性。用银-锡合金做接触的有源层为34微米厚的器件,在5千兆赫下已获得120瓦峰值功率和18%的效率。...
[期刊论文] 作者:J.Mun,J.S.Heeks,韩治业,, 来源:半导体情报 年份:2004
砷化镓器件的研究业已表明,在弛豫限累工作模式中,空间电荷的不稳定性被抑制,从而获得了材料的转移电子体负电导的特性。在固体器件中限累模式的工作是极好的,它能够产生高...
[会议论文] 作者:J.Mun,B.C.Lee,H.K.Cha,Y.U.Jeong,K.Lee,Y.W.Lee,K.-H.Yea,P.D.Ahn,Y.H.Cha,S.H.Park,J.Y.Lee, 来源:International Conference on Ultrahigh Intensity Lasers Devel 年份:2008
[会议论文] 作者:J.Mun,B.C.Lee,H.K.Cha,Y.U.Jeong,K.Lee,Y.W.Lee,K.-H.Yea,J.Y.Lee,P.D.Ahn,Y.H.Cha,S.H.Park, 来源:International Conference on Ultrahigh Intensity Lasers Devel 年份:2008
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