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[期刊论文] 作者：J.P.Faurie,肖绍泽,
来源：红外技术 年份：2004
本文是有关Ⅱ—Ⅵ族半导体化合物Cd_xHg_(1-x)Te的分子束外延法的第一篇报导文章。外延生长是在100℃温度下、在用分子束外延得到的CdTe(111)面上进行的。This article is...
[期刊论文] 作者：J.P.Faurie,肖绍泽,
来源：红外技术 年份：2004
采用分子束外延生长法在取向为的CdTeB面衬底上生长CdTe和Cd_xHg_(1-x)Te(CMT),CdTe的外延温度在25℃和250℃之间,而CMT的外延温度则为120℃。这些厚度达10μm的外延层有较...
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