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30 nm T-gate enhancement-mode InAlN/AlN/GaN HEMT on SiC substrates for future high power RF applicat
[期刊论文] 作者：P.Murugapandiyan,S.Ravimaran,J.William,
来源：城市道桥与防洪 年份：2017
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
30 nm T-gate enhancement-mode InAIN/AIN/GaN HEMT on SiC substrates for future high power RF applicat
[期刊论文] 作者：P.Murugapandiyan,S.Ravimaran,J.William,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2017
The DC and RF performance of 30 nm gate length enhancement mode(E-mode) InAlN/AlN/GaN high electron mobility transistor(HEMT) on SiC substrate with heavily dope...
[期刊论文] 作者：J.William Hollingsworth,冯皓,
来源：国外医学(医院管理分册) 年份：1991
本文回顾了美国退伍军人(VA)医院系统发展历史及其现状,着重介绍了VA 医院对美国临床医学教育的重要贡献以及在临床科研和医疗技术成本效果分析等方面的重要作用,并为VA 医院...
[期刊论文] 作者：D.Calson J.William,徐俊培,,
来源：世界科学 年份：1993
有机分子本来似乎不大可能成为新一代的超导体,但由于其具有无比的适应性,因而正挤进角逐新材料的行列。自6年前G·贝诺兹和A·穆勒发现“高温”超导体以来,材料科学就揭开了...
[期刊论文] 作者：J.William Schopf,李上森,,
来源：国外前寒武纪地质 年份：1978
引言在过去二十年间,尤其是在过去几年中,全世界对前寒武纪古生物学的兴趣有显著增加。比以前,现在在这个领域中有了许多实际工作者,汇集了许多新资料,提出了许多新概念,由...
[期刊论文] 作者：J.William Carey,Luke P.Frash,Nathan J.Welc,余玥,
来源：石油科技动态 年份：2021
预测裂缝渗透率的新模型在能源行业重新引起了人们的关注.本文通过结合文献综述结果以及我们自己的实验讨论,解释了在裂缝系统内发生的渗流过程所涉及的一些复杂问题.自然界...
[期刊论文] 作者：Asad Khan,Tod Schneider,Erica Montbach,Donald J.Davis,Nick Miller,Duane Marhefka,Todd Ernst,J.William,
来源：现代显示 年份：2007
介绍了高柔性分层全彩色胆甾相液晶显示器,它采用分相封装构建在超薄基底上,同时展示了胆甾相液晶显示技术态势的新进展This paper introduces a highly flexible layered...
[期刊论文] 作者：Thomas Jenkins,Brian Marr,David H Abramson,Carol L Shields,Jacob Pe’er,Francis Munier,Jesse Berry,J.William,
来源：International Journal of Ophthalmology 年份：2017
AIM: To determine which IIRC scheme was used by retinoblastoma centers worldwide and the percentage of D eyes treated primarily with enucleation versus globe sa...
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