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[期刊论文] 作者：K.Werner,S.Theeuwen,J.de Boet,,
来源：世界电子元器件 年份：2011
高压LDMOS是高达3.8GHz的国防和航空电子设备RF功率应用的最佳技术选择。该技术将高功率密度、高强度与高于双级设备的增益和效率相结合。此外,因为基于高容量的Si制造流程,...
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