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Static and Dynamic Characterization of High-Speed Silicon Carbide (SiC) Power Transistors
[期刊论文] 作者：Asumadu,James D. Sc, 来源：工程(英文)(1947-3931) 年份：2010
This paper describes the operating characteristics of NPN 4H-SiC (a polytype of silicon carbide) bipolar junction transistor (BJT) and 4H-SiC Darlington Pairs....
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