搜索筛选:
搜索耗时0.1002秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 6 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：Jia Ren-Xu,Zhang Yu-Ming,Zhang Yi-Men,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2010
...
[期刊论文] 作者：Jia Ren-Xu,Yan Hong-Li,Liu Wen-Jun,Lei Ming,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2014
...
[期刊论文] 作者：Wang Yue-Hu,Zhang Yi-Men,Zhang Yu-Ming,Song Qing-Wen,Jia Ren-Xu,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2011
...
,SiC epitaxial layers grown by chemical vapour deposition and the fabrication of Schottky barrier di
[期刊论文] 作者：Wang Yue-Hu,Zhang Yi-Men,Zhang Yu-Ming,Zhang Lin,Jia Ren-Xu,Chen Da,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2010
...
[期刊论文] 作者：Jia Ren-Xu,Dong Lin-Peng,Niu Ying-Xi,Li Cheng-Zhan,Song Qing-Wen,Tang Xiao-Yan,Yang Fei,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2015
...
,Investigation of a 4H-SiC metal-insulation-semiconductor structure with an Al2O3/SiO2 stacked diele
[期刊论文] 作者：Tang Xiao-Yan,Song Qing-Wen,Zhang Yu-Ming,Zhang Yi-Men,Jia Ren-Xu,Lü Hong-Liang,Wang Yue-Hu,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2012
Atomic layer deposited (ALD) Al2O3/dry-oxidized ultrathin SiO2 films as a high-k gate dielectric grown on 8° off-axis 4H-SiC (0001) epitaxial wafers are invest...
相关搜索：
