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[期刊论文] 作者：Li Xing-Ji,Liu Chao-Ming,Sun Zhong-Liang,Xiao Li-Yi,He Shi-Yu,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2013
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[期刊论文] 作者：Liu Chao-Ming,Li Xing-Ji,Geng Hong-Bin,Yang De-Zhuang,He Shi-Yu,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2012
The characteristic degradations in a silicon NPN bipolar junction transistor (BJT) of 3DG142 type are examined under irradiation with 40-MeV chlorine (Cl) ions...
[期刊论文] 作者：Li Xing-Ji,Geng Hong-Bin,Lan Mu-Jie,Yang De-Zhuang,He Shi-Yu,Liu Chao-Ming,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2010
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[期刊论文] 作者：Li Xing-Ji,Geng Hong-Bin,Lan Mu-Jie,Yang De-Zhuang,He Shi-Yu,Liu Chao-Ming,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2010
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[期刊论文] 作者：Liu Chao-Ming,Li Xing-Ji,Geng Hong-Bin,Rui Er-Ming,Guo Li-Xin,Yang Jian-Qun,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2012
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[期刊论文] 作者：Yuan-Ting Huang,Xiu-Hai Cui,Jian-Qun Yang,Tao Ying,Xue-Qiang Yu,Lei Dong,Wei-Qi Li,Xing-Ji Li,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2022
The effects of radiation on 3CG 110 PNP bipolar junction transistors (BJTs) are characterized using 50-MeV protons,40-MeV Si ions,and 1-MeV electrons.In this paper,electrical characteristics and deep level transient spectroscopy (DLTS)are u......
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