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[期刊论文] 作者：韦世强,OYANAGI Hiroyuki,,
来源：中国科学技术大学学报 年份：2004
本文用掠入射荧光XAFS研究(Ge4/Si4)5/Si(001)形变超晶格的局域结构.超晶格中的Ge-Ge和Ge-Si第一配位键长分别为RGe-Ge=0.243 nm和RGe-Si=0.238 nm,与晶态Ge(RGe-Ge=0.245 nm...
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