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[期刊论文] 作者：Perry J.Robertson,石广元,
来源：微电子学 年份：1987
我们在300K到4.2K温度范围内测量了亚微米硅MOSFET的特性,并画出了迁移率随温度的变化及载流子速度随纵向电场的变化(以温度为参数)曲线。发现500μm的器件在4.2K下的有效迁...
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