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[期刊论文] 作者：R．Arghavani,V．Banthia,M．Balseanu,N．Ingle,N．Derhacobian,S．E．Thompson,,
来源：集成电路应用 年份：2006
向非易失性存储器的存储单元中引入应变会降低隧穿漏泄电流并可对存储单元进行等比变化。Introducing a strain into a memory cell of a non-volatile memory reduces the...
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