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[期刊论文] 作者：Wei Zheng,Ruisheng Zheng,Feng Huang,Honglei Wu,Fadi Li,,
来源：Photonics Research 年份：2015
The angle dependence of optical phonon modes of an AlN bulk single crystal from the m-plane(1100) and c-plane(0001) surfaces, respectively, is investigated by p...
[会议论文] 作者：Zheng Yan,闫征,Ruisheng Zheng,郑瑞生,Honglei Wu,武红磊,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
采用基于密度泛函理论的第一性原理全势线性缀加平面波法,研究了C：Si共掺杂纤锌矿AlN的32原子超胞体系的能带结构、电子态密度等性质,分析了C：Si共掺实现p型掺杂的机理。在AlN的掺杂体系中,当C、Si的浓度相等时,C-Si复合物形成,施主和受主杂质会相互补偿,导电性较......
[会议论文] 作者：Mengmeng Li,Honglei Wu,Ruisheng Zheng,李萌萌,武红磊,郑瑞生,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
采用有限元法模拟了物理气相传输法(PVT)制备大尺寸AIN晶体的温度场，应用ANSYS软件对比研究了在不同实验条件下生长系统的温度场分布情况。模拟结果表明：最高温度在坩埚上，......
[会议论文] 作者：Mengmeng Li,李萌萌,Honglei Wu,武红磊,Ruisheng Zheng,郑瑞生,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
采用有限元法模拟了物理气相传输法(PVT)制备大尺寸AIN晶体的温度场，应用ANSYS软件对比研究了在不同实验条件下生长系统的温度场分布情况。模拟结果表明：最高温度在坩埚上，并位于感应线圈的几何中心处。物料与结晶体之间的距离对温度梯度有很大的影响。在电源的输......
[会议论文] 作者：Honglei Wu,武红磊,Ruisheng Zheng,郑瑞生,Zheng Yan,闫征,Mengmeng Li,李萌萌,Wei Zheng,郑伟,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
在碳化硅衬底上通过碳硅共掺杂的方式利用升华法制备出p型氮化铝晶体。通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和光致发光(PL)光谱对样品结构和光学性能进行分析。XRD的测试结果表明晶体的生长方向为c轴方向，晶体质量较好。霍尔测试的结果表明制备出的氮化铝......
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