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[期刊论文] 作者：S.Shanfield,胡雯玲,
来源：微电子学 年份：1985
制造高密度集成电路的关键之一是通过金属条的夹层介质台阶的形貌。因底层结构或通过腐蚀引起的这些台阶应逐渐倾斜以保证其后沉积的金属互连条的连续性。在器件可容温度下,...
[期刊论文] 作者：S.Shanfield, S.Bay, 胡雯玲,,
来源：微电子学 年份：1985
制造高密度集成电路的关键之一是通过金属条的夹层介质台阶的形貌。因底层结构或通过腐蚀引起的这些台阶应逐渐倾斜以保证其后沉积的金属互连条的连续性。在器件可容温...
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