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[会议论文] 作者：Sheng-Xun Zhao,Xiao-Yong Liu,Lin-Qing Zhang,Jin-Shan Shi,Hong-Fan Huang,Peng-Fei Wang,
来源：2016年上海市研究生学术论坛——电子科学与技术 年份：2016
Thermal atomic layer deposition (ALD) grown AlN passivation layer is applied on A1GaN/GaN-on-Si HEMT and the impacts on drive current and leakage current are investigated.The thermal ALD grown 30nm am...
[期刊论文] 作者：LIAN Jia-Rong,LUO Xi,CHEN Wei,SU Sheng-Xun,ZHAO Hong-Fei,LIU Si-Yang,XU Gui-wen,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2014
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