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[期刊论文] 作者：T·Ambridge,张荣桂,,
来源：半导体情报 年份：2004
测量了 n 型砷化镓耗尽层电容与其在电化学池中阳极电势的函数关系。己经表明,倘若维持表面积一定的话,这种测量可以导出载流子浓度的精确值而与电化学溶解剥蚀无关。描述了...
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