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[期刊论文] 作者：Ulrich Nicolai,Tobias Reimann,李毅,魏宇浩,,
来源：电源技术应用 年份：2005
5 功率模块的参数 5.1 功率MOSFET模块 5.1.1 最大定额 1)漏源电压Vns MOSFET芯片中,漏源极间的最大允许电压。此时,栅源回路为开路或有接入电阻。参数:壳温Tcase=25℃。 2)...
[期刊论文] 作者：Ulrich Nicolai,Tobias Reimann,李毅,魏宇浩,,
来源：电源技术应用 年份：2005
3功率模块3.1功率模块的构造在一个功率模块里,数个功率半导体芯片(MOSFET或IGBT芯片以及二极管芯片)被集成到一块共同的底板上,且模块的功率器件与其安装表面(散热板)相互绝...
[期刊论文] 作者：Ulrich Nicolai,Tobias Reimann,李毅,魏宇浩,,
来源：电源技术应用 年份：2005
2 续流和缓冲二极管 2.1 对续流和缓冲二极管的要求现代的快速开关器件要求采用快速的二极管作为续流二极管。在每一次开关的开通过程中,续流二极管由导通切换到截止状态。这...
[期刊论文] 作者：Ulrich Nicolai,Tobias Reimann,李毅,魏宇浩,,
来源：电源技术应用 年份：2005
0引言最近20年来,功率器件及其封装技术的迅猛发展,导致了电力电子技术领域的巨大变化。当今的市场要求电力电子装置要具有宽广的应用范围、量体裁衣的解决方案、集成化、智...
[期刊论文] 作者：Gerald Deboy,Fanny Dahlquist,Tobias Reimann,Marco Scherf,亢宝位,胡冬青,,
来源：电力电子 年份：2004
无论对哪种封装,新一代600V超结MOSFET的导通电阻标定了新的基准。新产品系列的特点是电流容量和开关速度非常高。兼之它具有目前世上无与伦比的优值FoM(Ron*Qg)——低于6Ωn...
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