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,Optical and structural investigation of a-plane GaN layers on r-plane sapphire with nucleation laye
[期刊论文] 作者：Zhang Jin-Feng,Xu Sheng-Rui,Zhang Jin-Cheng,Hao Yue,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2011
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[期刊论文] 作者：Li Zhi-Ming,Hao Yue,Zhang Jin-Cheng,Xu Sheng-Rui,Ni JinYu,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2009
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,Growth of a-Plane GaN Films on r-Plane Sapphire by Combining Metal Organic Vapor Phase Epitaxy with
[期刊论文] 作者：JIANG Teng,XU Sheng-Rui,ZHANG Jin-Cheng,LIN Zhi-Yu,JIANG Ren-Yuan,HAO Yue,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2015
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[期刊论文] 作者：Zhao Yi,Zhang Jin-Cheng,Xue Jun-Shuai,Zhou Xiao-Wei,Xu Sheng-Rui,Hao Yue,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2015
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,Morphological and Microstructural Evolution and Related Impurity Incorporation in Non-Polar a-Plane
[期刊论文] 作者：JIANG Ren-Yuan,XU Sheng-Rui,ZHANG Jin-Cheng,JIANG Teng,JIANG Hai-Qing,WANG Zhi-Zhe,FAN Yong-Xiang,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2015
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[期刊论文] 作者：Cao Rong-Tao,Xu Sheng-Rui,Zhang Jin-Cheng,Zhao Yi,Xue Jun-Shuai,Ha Wei,Zhang Shuai,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2014
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,Improved crystal quality of GaN film with the in-plane lattice-matched In0.17Al0.83N interlayer gro
[期刊论文] 作者：Li Liang,Yang Lin-An,Xue Jun-Shuai,Cao Rong-Tao,Xu Sheng-Rui,Zhang Jin-Cheng,Hao Yue,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2014
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,Luminescence of a GaN grain with a nonpolar and semipolar plane in relation to microstructural char
[期刊论文] 作者：Zhou Xiao-Wei,Xu Sheng-Rui,Zhang Jin-Cheng,Dang Ji-Yuan,Lü Ling,Hao Yue,Guo Li-Xin,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2004
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,Study on the relationships between Raman shifts and temperature range for a-plane GaN using tempera
[期刊论文] 作者：Wang Dang-Hui,Xu Sheng-Rui,Hao Yue,Zhang Jin-Cheng,Xu Tian-Han,Lin Zhi-Yu,Zhou Hao,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2013
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,Optimization and Finite Element Analysis of the Temperature Field in a Nitride MOCVD Reactor by Ind
[期刊论文] 作者：LI Zhi-Ming,HAO Yue,ZHANG Jin-Cheng,CHEN Chi,CHANG Yong-Ming,XU Sheng-Rui,BI Zhi-Wei,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2010
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[期刊论文] 作者：Bi Zhi-Wei,Feng Qian,Hao Yue,Wang Dang-Hui,Ma Xiao-Hua,Zhang Jin-Cheng,Quan Si,Xu Sheng-Rui,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2010
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[期刊论文] 作者：Du Da-Chao,Zhang Jin-Cheng,Ou Xin-Xiu,Wang Hao,Chen Ke,Xue Jun-Shuai,Xu Sheng-Rui,Hao Yue,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2011
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,Structural and optical investigation of nonpolar a-plane GaN grown by metal-organic chemical vapour
[期刊论文] 作者：Xu Sheng-Rui,Zhang Jin-Feng,Gu Wen-Ping,Hao Yue,Zhang Jin-Cheng,Zhou Xiao-Wei,Lin Zhi-Yu,Mao Wei,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2012
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[期刊论文] 作者：Xue Xiao-Yong,Xu Sheng-Rui,Zhang Jin-Cheng,Lin Zhi-Yu,Ma Jun-Cai,Liu Zi-Yang,Xue Jun-Shuai,Hao Yue,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2012
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[期刊论文] 作者：Xu Sheng-Rui,Hao Yue,Zhang Jin-Cheng,Zhou Xiao-Wei,Cao Yan-Rong,Ou Xin-Xiu,Mao Wei,Du Da-Chao,Wang Hao,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2010
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,Influence of double AlN buffer layers on the qualities of GaN films prepared by metal-organic chemi
[期刊论文] 作者：Lin Zhi-Yu,Zhang Jin-Cheng,Zhou Hao,Li Xiao-Gang,Meng Fan-Na,Zhang Lin-Xia,Ai Shan,Xu Sheng-Rui,Zhao,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2012
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,Comparative Study of the Characteristics of the Basal Plane Stacking Faults of Nonpolar a-Plane and
[期刊论文] 作者：XU Sheng-Rui,LIN Zhi-Yu,XUE Xiao-Yong,LIU Zi-Yang,MA Jun-Cai,JIANG Teng,MAO Wei,WANG Dang-Hui,ZHANG Jin-Cheng,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2012
Nonpolar (11(2)0) and semipolar (11(2)2) GaN are grown on r-plane and m-plane sapphire by MOCVD to investigate the characteristics of basal plane stacking fault...
[期刊论文] 作者：Xu Sheng-Rui,Hao Yue,Zhang Jin-Cheng,XueXiao-Yong,Li Pei-Xian,Li Jian-Ting,Lin Zhi-Yu,Liu Zi-Yang,Ma,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2011
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[期刊论文] 作者：Mao Wei,Yang Cui,Hao Yao,Zhang Jin-Cheng,Liu Hong-Xia,Bi Zhi-Wei,Xu Sheng-Rui,Xue Jun-Shuai,Ma Xiao-Hua,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2011
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,Fabrication and Characteristics of AIInN/A1N/GaN MOS-HEMTs with Ultra-Thin Atomic Layer Deposited A
[期刊论文] 作者：MAO Wei,ZHANG Jin-Cheng,XUE Jun-Shuai,HAO Yao,MA Xiao-Hua,WANG Chong,LIU Hong-Xia,XU Sheng-Rui,YANG Lin-An,
来源：中国物理快报(英文版) 年份：2010
Al0.85In0.15N/AlN/GaN metal-oxide-semiconductor high electron mobility transistors(MOS-HEMTs)employing a 3-nm ultra-thin atomic-layer deposited(ALD)Al2O3 gate d...
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