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[期刊论文] 作者：Sang-man Bae,Hung-eil Kim,Yang-mog Ham,葛劢冲,
来源：电子工业专用设备 年份：2001
随着超大规模集成电路 (VLSI)图形密度的增大 ,邻近效应已成为光学光刻的关键问题之一。通常在平整硅片上对 0 5 μm图形采用 0 5 4NA和传统的单层i线抗蚀工艺时 ,密集图形...
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