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1.3  μm InAs/GaAs quantum dot lasers on silicon with GaInP upper cladding layers
[期刊论文] 作者：JunWang,HaiyangHu,HaiyingYin,YimingBai,JianLi,XinWei,YuanyuanLiu,YongqingHuang,XiaominRen,HuiyunLiu, 来源：PhotonicsResearch 年份：2018
We report on the first electrically pumped continuous-wave (CW) InAs/GaAs quantum dot (QD) laser grown on Si with a GaInP upper cladding layer. A QD laser structure with a...
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