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The fabrication of Al2O3 gate AlGaN/GaN MOS-HFET device and study of the insulating properties of th
[会议论文] 作者：Zhen Shen,Jincheng Zhang,Guilin Zhou,Zhiyuan He Yao Yao,Yiqiang Ni,Fan Yang,Yang Liu,
来源：第一届国际ALD应用大会暨第二届中国ALD学术交流会 年份：2012
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[会议论文] 作者：Fan Yang,Zhexiong Lin,Wei Zhang,Jincheng Zhang,Zhiyuan He,Yiqiang Ni,Yang Liu,杨帆,林哲雄,张炜,张金城,贺致远,倪毅强,刘扬,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文主要利用模拟软件对AlGaN/GaN异质结构中二维电子气(2DEG)形成过程中施主表面态的影响进行研究,主要分析施主表面态电离过程及表面态能级位置、表面态密度的影响。模...
[会议论文] 作者：Fan Yang,杨帆,Zhexiong Lin,林哲雄,Wei Zhang,张炜,Jincheng Zhang,张金城,Zhiyuan He,贺致远,Yiqiang Ni,倪毅强,Yang Liu,刘扬,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文主要利用模拟软件对AlGaN/GaN异质结构中二维电子气(2DEG)形成过程中施主表面态的影响进行研究,主要分析施主表面态电离过程及表面态能级位置、表面态密度的影响。模拟显示施主表面态为2DEG中电子来源,A1GaN厚度、施主表面态能级位置、施主表面态密度的改变......
[会议论文] 作者：Zhen Shen,沈震,Jincheng Zhang,张金城,Guilin Zhou,周桂林,Zhiyuan He,贺致远,姚尧,Yao Yao,倪毅强,Yiqiang Ni,Fan Yang,杨帆,,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文采用原子层沉积技术(ALD),在AlGaN/GaN异质结构上制备了10nm Al2O3栅介质层AlGaN/GaN MOS-HFET器件。该器件阈值电压为-12V、最大沟道电流为880mA/mm、最大跨导为110meS/mm.通过将其同AlGaN/GaN HFET器件电学特性进行对比,发现Al2O3介质层的插入降低了栅极......
[会议论文] 作者：Yiqiang Ni,Zhiyuan He,Jian Zhong,Fan Yang,Yao Yao,Peng Xiang,Baijun Zhang,Yang Liu,倪毅强,贺致远,钟健,杨帆,姚尧,向鹏,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文对Si衬底上插入了低温AlN应力缓冲层的GaN外延结构进行了研究,并在该外延结构中观察到了一种反常的P型导电现象。针对该现象,对比具有不同结构的样品进行研究。通过S...
[会议论文] 作者：Yiqiang Ni,倪毅强,贺致远,Zhiyuan He,Jian Zhong,钟健,Fan Yang,杨帆,Yao Yao,姚尧,Peng Xiang,向鹏,张佰君,Baijun Zhang,Yang,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文对Si衬底上插入了低温AlN应力缓冲层的GaN外延结构进行了研究,并在该外延结构中观察到了一种反常的P型导电现象。针对该现象,对比具有不同结构的样品进行研究。通过SIMS和变温Hall测试分析,P型现象主要是由于外延生长时高温AlN中的A1原子扩散进Si衬底所导致......
[会议论文] 作者：Zhiyuan He,贺致远,倪毅强,Yiqiang Ni,Fan Yang,杨帆,Yao Yao,姚尧,Zhen Shen,沈震,Peng Xiang,向鹏,张佰君,Baijun Zhang,Yang,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文分析了以低温AlN插入层(700℃)作为应力缓冲层生长高阻Si衬底GaN外延的漏电流特性。通过对比两组不同结构的GaN外延层两端横向击穿测试，发现引入低温AlN插入层后，体材料漏电流显著上升，从而导致击穿电压下降。进一步的变温霍尔测试和二次离子质谱测试可以证实......
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