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[期刊论文] 作者：Z.C.Feng, P.F.Rong, P.Cao, Q.Y,
来源：国际医学放射学杂志 年份：2004
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技...
[会议论文] 作者：J.Chen[1]S.C.Lien[2]Y.C.Shin[3]Z.C.Feng[4]C.C.Liu[5]QiangXu[6]zhengyunWu[6],
来源：第十六届全国光散射学术会议 年份：2011
@@ SiC because of its excellent properties，is very attractive in high power,highfrequency，and high temperature electronic and optoelectronic device applications.I...
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