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[期刊论文] 作者：管清波,罗小明,ZHANG Rong,张荣,
来源：装备指挥技术学院学报 年份：2001
针对作战仿真系统开发过程中所面临的困难，提出了解决此类问题的软件工程方法。应用软件工程方法对军事卫星信息支援下导弹攻防作战仿真系统进行了科学的管理和开发。...
[会议论文] 作者：ZHANG Rong,张荣,WU Junxiu,吴军秀,赵素蕊,
来源：第20届全国计算机新科技与计算机教育学术大会 年份：2009
本文在任务空间模型的基础上，提出了协同学习环境的本体建模。基于该模型设计和开发协同学习系统，不仅可以在多个不同层次上解决协同学习系统的资源管理问题，同时解决了现有协同学习系统开发中存在的知识描述不规范、知识重用性低、重复性开发等问题，提高了系统的互......
[期刊论文] 作者：Zhou Jian-Jun(周建军),Jiang Ruo-Lian(江若琏),Sha Jin(沙金),Liu Jie(刘杰),Shen Bo(沈波),Zhang Rong(张荣),Zheng You-Dou,
来源：中国物理(英文版) 年份：2003
GaN epilayers were grown on sapphire substrates by metal-organic chemical vapour deposition. Metal-semiconductor-metal photoconductive detectors were fabricated...
[期刊论文] 作者：LIU Jie(刘杰),SHEN Bo(沈波),WANG Mao-Jun(王茂俊),ZHOU Yu-Gang(周玉刚),CHEN Dun-Jun(陈敦军),ZHANG Rong(张荣),SHI Yi(施毅,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2004
Frequency-dependent capacitance-voltage (C-V) measurements have been performed on modulation-doped Al0.22Ga0.78N/GaN heterostructures to investigate the charact...
[期刊论文] 作者：Ruo-Lian(江若琏),ZHOU Jian-Jun(周建军),JI Xiao-Li(姬小利),LIANG Ling-Yan(梁凌燕),KONG Yue-Chan(孔月婵),SHEN Bo(沈波),ZHANG Rong(张荣,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2004
The unintentionally doped samples of Al0.22 Ga0. 78N/GaN/Al0.22 Ga0. 78N/GaN multi-heterostructures have been designed and fabricated. The polarization induced...
,GaN Growth with Low-Temperature GaN Buffer Layers Directly on Si(111) by Hydride Vapour Phase Epita
[期刊论文] 作者：YU Hui-Qiang(俞慧强),CHEN Lin(陈琳),ZHANG Rong(张荣),XIU Xiang-Qian(修向前),XIE Zi-Li(谢自力),YE Yu-Da(叶宇达),GU Shu-Lin,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2004
GaN films are grown on Si(111) with low-temperature GaN (LT-GaN) layers as buffer layers by hydride vapour phase epitaxy (HVPE). The deposition temperature of t...
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