β-Ga2O3微米线相关硕士博士期刊学术论文

β-Ga2 O3是一种新兴的超宽带隙半导体材料,由于具有4.9 eV的带隙、较高的击穿电场(8 MV/cm)及较高的热稳定性和化学稳定性等优良......