三元混晶相关论文
从弹性连续模型入手，根据胡克定律和牛顿第二定律，利用有限差分法给出局域声学声子振动的本征方程，从而计算纤锌矿AlxGa1-xN/GaN 有限......
由于ZnO 缓冲层对纤锌矿ZnO/MgxZn1-xO 有限深单量子阱结构左垒的限制作用,导致其他因素,例如：阱和右垒的尺寸,Mg 组分大小等将影响......
该文导出了三元混晶中电子-空穴对有效相互作用势(哈肯势),研究了混晶效应对激子结合能的影响.讨论了三元混晶中激子的性质.导出了......
GaAs因具有电子迁移率高、抗辐射能力强、耐热等优点在制作高频高速光电器件、微波器件及光电集成等领域有着广泛的用途。为挖掘和......
学位
本文计入纤锌矿材料中强内建电场的影响，利用有限差分法和密度矩阵原理研究了纤锌矿GaN/InxGa1-xN/GaN球形核壳量子点中子带间和带......
三元混晶具有许多二元晶体所没有的独特的物理性质，例如其禁带宽度和光学声子频率可以通过改变组分来人为控制，从而被广泛地应用于许......
本文采用介电连续模型和改进的无规元素等位移模型研究了球形核壳量子点中光学声子模的三元混晶效应。首先，我们对含三元混晶的核壳......
纤锌矿AlGaN/GaN等多层异质结构是制作高电子迁移率晶体管及紫外光探测器等光电子器件的典型材料.它们具有宽禁带，高电子迁移率和热......
三元混晶AxB1-xC材料拥有许多二元晶体所不具备的独特结构和物理特性，可以通过改变混晶组分的浓度来实现人为控制材料的物理参数，比......
采用改进的无规元素等位移模型和玻恩-黄近似,运用电磁场的麦克斯韦方程和边界条件,研究了薄膜厚度对由极性三元混晶组成的双层薄......
本文从三元混晶材料的电子—声子相互作用的基本哈密顿量出发,用微扰法导出了束缚极化子基态能量与混晶组分X的函数关系以及以ALXG......
本文提出了一种用于研究三元混晶光学声子和电子与 L0声子互作用的方法,导出了电子与不同声子作用的哈密顿算符,计算了 AlxGa1-xAs......
仅考虑高频分支对极化子的贡献，研究了单模型三元混晶界面极化子的性质，既考虑了电子与体声子的耦合，又考虑了电子与两支界面光声子的......
基于混晶模型和极化子微扰理论，研究了弱藕合下三元混品AxB1-xC材料的极化子能级问题，推导了极化子能级表达式，给出了其随组分x变化的......
<正> 目前人们广泛地研究超晶格和量子阱结构,这种研究在理论上和实验上以及高技术产业方面发挥着很大的作用.在超晶格和量子阱结......
本文计及双支纵光学声子模的作用，采用微扰法导出了极性三元混晶Ａ＿ｘＢ＿（１－ｘ）Ｃ中极化子的二级近似波函数，进一步计算了电子的极化势和极化电荷密度......
运用 无规元素孤立位移模型，研究了三元混晶构成的三层极性半导体之界面光学声子模。...
分别在改进的无规孤立元素位移（ＭＲＥＩ）模型和有效声子模近似（ＥＰＭＡ）下，用中间耦合法研究了极性晶体三元混晶ＡｘＢ１－ｘＣ中的磁极化子，导出了磁极化子的能级，对几......
导出了三元混晶中电子-空穴对有效相互作用势(哈肯势)，研究了混晶效应对激子结合能的影响.讨论了三元混晶中激子的性质.计及激子与......
采用改进的无规元素等位移模型和玻恩-黄近似，运用电磁场的麦克斯韦方程和边界条件，研究了薄膜厚度对由极性三元混晶组成的双层薄膜......
本文用变分法导出了三元混晶A_xB_(1-x)C材料中的强束缚极化子2S态和2P态能量表达式以及对K_xRb_(1-x)C1材料作了数值计算,在组分x......
研究了三元混晶A_xB_(1-x)C中弱耦合磁性极化子问题,用微扰理论导出了极化子朗道(Landau)能级和回旋质量与外磁场B和混晶组分x的关......
由于ZnO缓冲层对纤锌矿ZnO/Mg_xZn_（1-x）O有限深单量子阱结构左垒的限制作用,导致阱和右垒的尺寸、Mg组分值等因素将影响系统中形成......
本文研究了三元混晶中光学极化子的内激发态.在弱耦合的情况下分别对几种不同的混晶材料AxB1-zC进行了计算,计算出极化子的藕合常......
本文研究了三元混晶A_xB_(1-x)C中的Wannier激子与LO-声子的作用,导出了有效哈密顿量,在x=0,x=1的极限下它能完全蜕化成相应的二元......
本文发展了三元混晶板中电子-声子作用的量子理论,给出了该系统声子的本征频率以及电子-声子作用的哈密顿算符.这一理论建立在无序......
本文研究了三元混晶中弱耦合磁极化子的性质,导出了磁场中三元混晶光学声子与电子的互作用哈密顿量,计算了磁极化子回旋频率、回旋......
利用微扰－变分法研究了极性三元混晶中束缚在浅库仑杂质中心的极化子。采用改进的无序元胞独立位移模型秀效声子模近似，计及电子和两......
采用改进的无规元素孤立位移模型和波恩-黄近似,运用电磁场的麦克斯韦方程和边界条件,研究极性三元混晶膜中的表面声子极化激元，以A......
为更加深入地了解混晶效应对半导体材料性质的影响,采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,研究了闪锌矿结构三元混......
由于其独特的物理性质以及在异质结、量子阱、超晶格、量子线、量子点等半导体低维系统中的广泛应用，极性半导体三元混晶成为了制造......
使用简化相干势近似(SCPA)计算了Ⅲ-Ⅴ族三元混晶InGaN的禁带宽度.结果表明,该方法与实验数据吻合较好,可用于Ⅲ-Ⅴ族含氮三元混晶......
采用无序元素孤立位移模型(REI mode),建立了三元混晶AB1-xCx晶格动力学的Born-Huang方程,并由此出发讨论了几种三元混晶晶格振动......
离子晶体（或极性晶体）的长波横光学振动能与光波耦合为一种复合的元激发，这种元激发称为电磁耦[合波]子。本文以电磁波与晶体相互作用......
半导体低维纳米材料在人造光电和电子器件方面有着广泛的应用,而表面和界面声子极化激元对了解半导体低维系统的光学性质起着很重......
学位
ZnS是一种宽禁带化合物半导体材料，具有闪锌矿和纤锌矿两种不同的结构，禁带宽度为3.68 eV。单纯ZnS材料自身存在一些不足，不利于它在......
