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三维生长温度相关论文
三维生长温度对非故意掺杂GaN外延层性能的影响
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石(0001)面上生长GaN外延层,并系统研究了三维生长温度对外延层晶体质量和残余应力的影响......
期刊
GAN
三维生长温度
位错
残余应力
GaN 3D growth temperature dislocation residual stress
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