不等位电势相关论文
本文对霍尔效应测量中的热能流引起的不等位电势误差提出了自己的见解，然后着重研究消除系统误差的方法，并对实验结果进行了评述。......
不等位电势是霍尔式传感器产生零位误差的主要因素。在霍尔式传感器的直流激励特性实验中霍尔元件处于梯度磁场中，但是磁场强度未知......
测试了 MESFET工艺条件下制作的霍尔片的基本性能.对设计出的 GaAs集成霍尔元件进 行了不等位电势的测试,采用霍尔元件并联和自旋......
传感器在系统中担任着采集信息的重要任务,传感器的正确度和可靠性的高低,将决定系统的成败,而误差的大小是决定正确度和可靠性的......
本文较详细地论述了霍尔效应发现的时代背景,霍尔效应的物理机理,以及霍尔元件广泛应用和高速发展的社会前景。......
<正> 霍尔集成电路是一种集成化的敏感器件,简称集成敏感电路或集成传感器,在国外归在Special devices(特种器件)类中。 所谓敏感......
采用CMOS工艺制作的纳米硅/单晶硅异质结MAGFET存在不等位电势VHO,不等位电势VHO随工作电压VDS绝对值增加而增大。通过在纳米硅/单......
