互补金属氧化物半导体CMOS 相关硕士博士期刊学术论文

提出了一种应用于IrDA的高增益CMOS共栅前置放大器。与传统的共源共栅结构不同，该电路采用宽摆幅共源共栅作负载以获得高增益。从理......