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GaP:N LPE半导体材料位错密度和位错坑形态分析
利用扫描电子显微镜研究GaP:N LPE材料中位错密度和发光的关系及位错坑形态,结果发现:样品经外延后,外延层的位错密度比衬底的位错密度有不同......
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