低温生长砷化镓相关论文
理论估算并实验验证了在X射线脉冲激发下低温砷化镓的光学折射率调制特性。泵浦-探针实验表明,低温砷化镓中存在的高密度复合缺陷大......
研究了低温生长砷化镓光电导天线(LT-GaAs PCA)产生太赫兹(THz)波的辐射特性。利用太赫兹时域光谱(TDS)技术测量了光电导发射极在......
宽频太赫兹(THz)技术在国防、科研等领域有着广阔的应用前景,光电导天线是产生宽频THz波的重要手段.分析了低温生长和高温退火对光......
研究了小孔径螺旋型光电导天线的太赫兹辐射特性。利用太赫兹时域光谱技术测量了螺旋型光导天线辐射的太赫兹波谱,得到了其时域发射......
本文采用光抽运-太赫兹探测技术系统研究了低温生长砷化镓(LT-GaAs)中光生载流子的超快动力学过程.光激发LT-GaAs薄层电导率峰值随抽......
采用宽频带飞脉冲泵浦-探测方法测得了LT-GaAs中不同能太的光生截流子的超快捕获特性,发现随着载流子的过超能量增大,载流子的散射 率......
在分子束外延的过程中,使用低温衬底(200—300摄氏度)生长的GaAs(LTD-GaAs)在化学配比,结构和性能上与普通衬底温度(600摄氏度)相比都有着......