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功率半导体管件相关论文
具有双n^+发射区的MCT
提出一种新型的MOS控制晶闸管结构DNMCT器件。该器件同MCT相比减弱了寄生JFET效应,并利用PISCES-IIB器件模拟软件验证DNMCT具有较好......
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发射极
MOS控制晶闸管
功率半导体管件
MCT
emitter MOS controlling thyristor
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