半导体掺杂相关论文
应变是研究材料物性和结构的重要手段,同时也是调制和改良材料物性的重要方法,本文基于第一性原理计算方法,研究了稀磁半导体（Ga,Mn......
InVO4作为一种新型窄禁带半导体材料,具有可见光波段的光催化性能。本文以氯化铟（InCl3）、偏钒酸铵（NH4VO3）和轻氢氧化钾（KOH）为原料,采......
利用半导体掺杂玻璃ＣｄＳ_ｘＳｅ（１－ｘ代替染料ＤＤＩ和ＨＩＴＣＩ作为饱和吸收体，实现了全固态被动锁模钛宝石激光器的稳定运转。在５．５Ｗ氩离子激光泵浦下获得锁模输出功......
NTC热敏陶瓷是应用最广泛的半导体陶瓷之一,非常适用于检测外部场所中的温度变化,还可用于惠斯通电桥、线性电阻网络和可编程微处......
利用离子源辅助的电子束热蒸发技术研制了高性能的Sr-F共掺杂SnO2(SFTO)基透明导电薄膜。所制备的SFTO薄膜具有良好的导电性和透过......
从原理上分析了纳米气相二氧化硅胶体铅酸蓄电池的特性，介绍了一种研究成果，应用于铅蓄电池的硅胶体的制造原理和方法。主要是利用表......
立方氮化硼（c-BN）是一种高硬度、耐辐射、耐腐蚀、抗高温的宽禁带（Eg=6.4eV）多功能材料，因其在机械、电子、物理化学等方面独特的性质，高......
该课题设计了光催化反应器和人工光源，建立了光解水制氢测试系统。以雀巢结构化、层间插入、桥架构筑、离子交换和硫化过程以及半导......
用第一性原理计算不同Nb掺杂浓度的n型Nb掺杂SrTiO3,研究了Nb掺杂浓度对SrTiO3的形成焓、电子结构和光学性能的影响。在Nb掺杂SrTi......
采用溶胶凝胶方法成功地制备了掺杂稀土铽离子的ZnO和Mg0.15Zn0.85薄膜.通过对X射线衍射结果的分析表明,稀土离子替代了Zn2+的格位......
光催化氧化技术作为一种新型高级氧化技术,能够有效去除水体中有毒污染物,卤氧铋（BiOX,X=C1、Br、I）因其独特的电子结构和良好的光电......
本文提出了一种新的半导体掺杂方法.将掺杂杂质涂敷在待掺杂的半导体表面,利用连续电子束辐照实现了掺杂.其结深可由电子束的参数......
掺杂是改善半导体纳米材料物性的重要技术手段,实现对半导体纳米材料的可控掺杂依然是此领域的重要挑战,掺杂杂质前驱体的选择和半......
InVO4作为一种新型窄禁带半导体材料,具有可见光波段的光催化性能。本文以氯化铟（InCl3）、偏钒酸铵（NH4VO3）和轻氢氧化钾（KOH）为原料,采......
半导体掺杂技术是半导体器件的核心技术之一。尽管半导体掺杂技术看起来好像很高深，但日常生活中用到半导体器件的设备却随处可见，比......
