近年来，纳米粒子材料逐渐成为临床肿瘤研究的热点之一。纳米粒子可由多种材料构成（如复合高分子、脂质、蛋白、金属或半导体材料等）。......

本研究采用磁控溅射技术制备了一系列非晶GaAs1-xNx薄膜、ZnO薄膜和ZnO∶Tb复合薄膜，深入研究了生长环境、退火工艺以及掺杂工艺对......

应变自组织生长InP基InAs量子点、量子线材料，不仅对基础研究具有重要的意义，而且在制造新型半导体器件方面有广泛的应用前景，因而成......

碳化硅(SiC)晶体是第三代半导体材料，它具有宽带隙、高热导率、强击穿电场、大饱和电子漂移速率以及耐腐蚀、耐辐射、强化学稳定性......

由于量子限制效应带来的优异光学和电学性质，GaAs基半导体低维结构材料在未来的光通信、光电集成和超大规模集成电路方面显示了极为......

本论文的工作包括以下两个方面　　 1.量子阱和量子点中激子的各向异性交换劈裂(Anisotropic ExchangeSplitting，AES)是由电子空穴......

本文应用传递矩阵法和有限差分法研究了AlxGa1-xAs/GaAs/AlyGa1-yAs/AlxGa1-xAs(x≠y)台阶阱中自旋轨道耦合效应所引起的能带自旋......

半导体量子阱材料中的结构反演不对称性会产生平面光学各向异性和自旋轨道耦合效应，通过外场或结构设计控制材料的反演不对称性，不仅......

纳米氧化锌(ZnO)是一种直接宽带隙半导体材料，室温下其禁带隙宽3.37eV，激子束缚能为60 meV。纳米ZnO有明显的尺寸效应、表面和界面效......

纳米宽带半导体氧化物材料，具有广泛的应用前景，成为目前研究的热点。本文选择ZnO、CoO和Co掺杂TiO2作为研究对象，对纳米ZnO的合成，形......

尺度、组份和形貌对纳米材料的性能有着重要的影响，对功能材料而言，不同尺度、组份、形貌将导致功能特性的差异，因此准一维纳米材料的......

本文将脉冲电沉积技术与氧化铝模板相结合，以一维半导体纳米合金材料InSb和ZnTe为研究对象，系统地研究了准一维纳米材料微阵列的可控......

由于独特的物理性质和广阔的应用前景，半导体低维结构获得了人们广泛的关注和研究。量子点即是其中一个典型的零维体系，由于它在基本......

InAsP/InP材料覆盖了1-3μm的近红外区域，这使其成为制作该波段光电器件的重要材料。目前InAsP/InP材料已被成功应用于制作短波红外......

能带工程是开发新型半导体材料的基础。氧化锌是一种重要的直接带隙半导体功能材料，室温下具有较大的激子束缚能(60meV)，在众多领域......

半导体材料低维结构如半导体超晶格、量子阱、量子线、量子点、微腔、团簇、纳米结构具有很好的应用前景，这些结构中的超快光学性质......

Ⅱ-Ⅵ族化合物是一类重要的直接带隙半导体材料，具有独特的光学特性和其它重要的物理化学性质。发展简单可靠的生长方法，合成品质优......

氧化锌是一种直接宽带隙半导体材料，室温带隙为3.37eV，激子束缚能高达60meV，在光电器件、太阳能电池，催化和敏感器件等领域里有广泛的......

根据《半导体材料》课程的自身特点，对该课程在教学内容、教学形式和教学考核上进行了综合改革。改革目的在于探索培养高素质半导体......