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反型金属氧化物半导体电容相关论文
2.82~4.04GHz CMOS差分调谐LC VCO的设计
通过对SMIC 0.13μm CMOS工艺的反型MOS电容的特性研究与测试验证,实现了一个2.82-4.04GHz的低调谐增益变化、低子带频率间隔变化......
期刊
宽带压控振荡器
反型金属氧化物半导体电容
差分调谐
Kvco
相噪
子带频率间隔
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