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反铁磁耦合强度相关论文
反铁磁耦合强度对外延Fe3O4薄膜各向异性磁电阻的影响
半金属Fe3O4具有较高的居里温度(858 K)和理论上100%的自旋极化率,是自旋电子学器件的理想候选材料,但其四重轴对称各向异性磁电阻......
会议
反应溅射外延
各向异性磁电阻
反铁磁耦合强度
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