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四方结构扭曲相关论文
Cu(In,Ga)3Se5薄膜的结构及其缺陷研究
讨论了Ga含量对四元有序缺陷化合物Cu(In,Ga)3Se5薄膜结构的影响.Ga含量的增加引起晶格扭曲系数η近似按抛物线形式增加,而其晶格......
期刊
Cu(In
Ga)3Se5
有序缺陷化合物
XRD
四方结构扭曲
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