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溅射氧化耦合法制备Ti掺杂VO2薄膜及其极窄回滞特性
采用溅射氧化耦合法,在Al2O3基底上成功实现了对VO_2薄膜的Ti元素掺杂.通过光电子能谱(XPS)的分析,试验制备的VO_2薄膜具有较高的纯......
期刊
溅射氧化耦合法
VO2薄膜
Ti掺杂
回滞宽度
开关器件
sputtering oxidation coupling method VO2 thin film
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