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场效应晶体管工艺相关论文
Si基InGaAs/Ge CMOS集成技术及器件可靠性研究
近几十年来,在硅(Si)基金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)尺寸等比例缩小的推动下,集成电路性能得到了蓬勃发展。进入深亚微米技......
学位
高迁移率新沟道材料
InGaAs-OInMOSFET
GepMOSFET
迁移率
可靠性
PBTI
HCI
CMOS
异质集成技术
场效应晶体管工艺
硅片键合
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