垂直Bridgman法相关论文
将加扩展项的轴对称双倒易边界元方法拓展应用于数值模拟垂直Bridgman法生长HgCdTe及CdZnTe晶体过程中非等温相变传热传质问题,印......
利用ANSYS有限元软件，以实际炉膛内的温度分布为边界条件，分析了包括生长中的Hg0.9Mn0．1Te晶体和晶体生长炉在内的生长系统的温度场。......
利用数值模拟研究了碲化镉在垂直Bridgman炉中生长时的固-液界面的形状．采用焓-多孔介质法，在固定网格上对碲化镉的固液两相用统一的......
在固液界面迁移理论和SODCM模型(二次反扩散补偿法)的基础上,本文提出采用垂直Bridgman法变速生长Hg1-xMnxTe晶体,并从理论和实验......
以高纯Hg，In，Te单质为原料，通过元素直接化合反应合成了碲铟汞（MIT）多晶料，并利用合成的高纯多晶料，在特殊设计的坩埚中，采用垂直Brldgman......
采用水平双温区法批量合成了高纯ZnGeP2多晶,并用垂直Bridgman法生长出直径为40～50mm的高品质单晶。采用密度泛函理论分析了ZnGeP2......
期刊
利用FIDAP数值软件，详细地模拟分析了垂直Bridgman法生长碲锌镉晶体过程，讨论了碲锌镉材料潜热释放及熔体对流对安瓿边界的温场分布......
