多孔InP相关论文
采用电子束光刻技术与电化学定域性刻蚀技术制备了多孔InP光波导.使用扫描电子显微镜对电化学定域性刻蚀方法制备的多孔InP进行表......
电化学刻蚀的方法是制备多孔半导体材料廉价且简便的工艺技术。在过去的几十年里,大多数的工作集中于多孔Si的制备及机理研究。但......
电化学刻蚀方法是一种非常简单实用的制备规则纳米阵列结构的方法.本文简述了用电化学刻蚀方法制备InP以及Si规则纳米阵列的方法.S......
人类社会的进步从某种意义上来讲是以材料的发展为前提的,性能优异的材料促进了社会的发展,同时社会的高度发展也呼唤着新材料的问......
激光干涉刻蚀技术是目前较为先进的有序纳米阵列制备技术,该技术能在样品表面实现规则点阵的制备,但是在对半导体基底刻蚀时,难以......
用电化学方法制备纳米多孔阵列具有操作简单、成本低廉和低损伤等优点,生长的孔的尺寸可以在纳米和微米量级之间变化。早在1990年,......
电化学刻蚀是一种设备简单、操作方便的获得微结构的方法。用这种方法可以很方便地获得各种微结构,微结构的尺寸能够从几十纳米到......
