在多孔硅 (PS)表面电子发射冷阴极中采用间隔式多层结构。由此 ,器件电子发射效率显著提高 ,在32 .5 V偏压下 ,发射效率达 13.5 % ......

研究叠经式多层间隔结构整体机织预制体的实现方法。通过分析现有机织间隔结构复合材料预制体的结构缺陷，提出一种新型的叠经式多层......

针对重金属球斜侵彻多层间隔薄板的条件，建立了钨球对靶板侵彻能力Ｄｗ的计算模型，编写了计算机程序。经与试验值比较，计算值与大量的试验......

在多孔硅（ＰＳ）表面电子发射冷阴极中采用间隔式多层结构。由此，器件电子发射效率显著提高，在３２．５Ｖ偏压下，发射效率达１３．５％，发射电流密度２９μＡ／ｃｍ＾２；工作电流和发......