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多应力结构CMOS器件的模拟研究
使用TCAD仿真工具Sentaurus在45 nm节点工艺下模拟研究了包含多应力结构的应变Si CMOS器件。模拟所得的开关电流比与相同节点工艺......
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多应力结构
应变硅
互补金属氧化物半导体
模拟
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