多晶硅栅极相关论文
为了在减小P型多晶硅栅电极中硼穿通的影响，需要明确多晶硅栅电极中硼穿通与栅氧化层厚度之间的关系。提出了双栅PMOSFET模型，将P型......
简介传统上,采用多晶硅栅极的场效应管利用场区LOCOS边缘的重叠来连接在薄的栅氧化区(图1)制造的N+型或P+型源极区和漏极区.由于深......
