夹断相关论文
高位直肠息肉手指不能触及,以往多采用在乙状结肠镜直视下用胶丝长钳夹断,或电刀凝固切除等方法,这些方法有以下缺点:(1)看到息肉......
[刀具特点]1.刀具采用正10°前角,切削顺利、轻快、排屑好。2.刀具采用了楔块紧固方式,夹持牢固,使用方便,节省刀杆,刀头容易更换......
日本富士通公司称,他们制造出将能在200℃温度下工作100年的GaNHEMT,为这些器件应用于要求日趋提高的用途开辟了道路。在夏威夷200......
水下气体射流随进口气体速度从很低逐渐增加出现了完全不同的两种流态,即泡流流态和射流流态。本文通过实验的方法对这两种流态做......
单栅和双栅场效应晶体管倍频器通过分析和计算机模拟进行了研究,理论预测和试验结果充分吻合。研究表明双栅场效应晶体管倍频器所......
一、引言随着双极存贮器的不断发展,人们在降低它的功耗、增加密度方面做了大量的工作。到目前为止,除了保持它固有的高速特性以......
提出了结场效应晶体管工作机构的二维分析方法。特别着重于宽栅和窄栅结构内电流饱和的过程。它表明,在源-漏沟道内的饱和载流子传......
编辑部转来了读者来信,提出的问题,很有代表性。一年多来,我们对所谓“自隔离”现象又有一点新的认识,为了共同讨论,我们再谈一谈......
本文分析了我们研制的采用运算放大器和场效应管的精密高速模拟电压开关。这种开关能有效地消除场效应管导通电阻和夹断漏电流造成......
本文分析了栅非对称配置的GaAsMESFET的栅-源击穿电压和栅-漏击穿电压,给出了二者关系的简单数学表达式,由此发现了栅-漏击穿电压......
图中给出了把5V逻信号转换到由某辑些CMOS IC所需的12V或15V电平的简单方法。晶体管Q_1是共栅模式工作的n沟路JFET。高于1或2V的......
本文描述了高压PMOS集成器件设计、工艺以及器件的物理模型,并给出了实验结果.
This article describes the high-voltage PMOS i......
在双极集成电路工艺中,做完隔离扩散后要检查扩散情况,通常是测两个隔离岛之间的伏安特性。如果外延层扩穿,有几十伏以上硬击穿;......
非全耗尽SOI/MOS晶体管由于存在“Kink效应”而限制了它的应用范围。本文考虑了沟道夹断区的碰撞电离和横向寄生晶体管效应,对浮置......
当将一个场效应管运用于可变电阻态时,信号电压(漏源电压)必须很低,这样才能将失真保持到最小。按照常规,一个夹断为1%的信号电压......
提出了一种用金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）来实现电源滞后供给的设计,它实现简单、稳定可靠、方便易用,同时,因MOSFET的封装较......
文章分析了电脑显示器EMC PV768开关电源的基本原理,及其振荡、稳压控制、保护电路等。...
对水下竖直环形喷管出口气体射流现象进行了研究,采用高速摄影仪记录了水下气体射流发展过程,并通过MATLAB编程处理图片的方式,对......
研究了具有混合型I-V特性的静电感应晶体管，提出了实现混合I-V特性所必需的器件结构参数、材料参数和工艺参数之问的最佳匹配关系．工......
本文介绍了N MOSFET的物理结构特性以及导电沟道形成过程与本质.详细分析与说明N MOSFET的漏极电流iD与漏源电压uDS特性表达式以及......
