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尺寸空洞相关论文

空洞及非均匀掺杂对深槽填充SJ-VDMOS电学特性影响

超结（SJ）VDMOS与传统VDMOS相比，在相同的击穿电压下导通电阻降低了约五分之一而成为当前国内外研究发展的重点和热点。其在大功率、低......

学位

超级结器件金属氧化物半导体场效应晶体管尺寸空洞非均匀掺杂深槽填充电学特性

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