报导了与Ｓｔａｅｂｌｅｒ－Ｗｒｏｎｓｋｉ效应相关的氢化非晶硅带隙态密度的光导诱导变化，结果表明光照将使ａ－Ｓｉ：Ｈ带隙上半部分态密度的分布发生变化，采用ＡＭ１太阳光谱。光照两......